[发明专利]半导体结构及其制造方法、存储器在审
| 申请号： | 201910590955.X | 申请日： | 2019-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN112185929A | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 刘志拯 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构及其制造方法、存储器，半导体结构包括：衬底；下电极层，所述下电极层位于部分所述衬底上；绝缘介质层，所述绝缘介质层位于所述下电极层上，且所述绝缘介质层暴露出部分下电极层表面；上电极层，所述上电极层位于所述绝缘介质层上，所述上电极层、所述绝缘介质层以及所述下电极层构成反熔丝电容。本发明有利于改善半导体结构的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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