[发明专利]用于光电设备的控制部件在审
| 申请号： | 201910596646.3 | 申请日： | 2019-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN110750018A | 公开（公告）日： | 2020-02-04 |
| 发明（设计）人： | S·诺弗尔 | 申请（专利权）人： | 弗莱克因艾伯勒有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1343;H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 本公开涉及用于光电设备的控制部件。一种制造用于光电设备的包括像素电极阵列的控制部件的方法，所述方法包括：在支撑膜之上原位形成图案化基质材料层和/或一个或多个图案化滤色器材料层；在所述支撑膜之上原位形成限定电气电路的层的叠堆，像素电极阵列中的每一个经由该电气电路可被独立寻址；其中，形成所述层的叠堆包括在所述图案化基质材料层和/或一个或多个图案化滤色器材料层之上至少原位形成：限定源导体阵列和漏导体阵列的图案化导体层；限定源导体和漏导体之间的半导体沟道的半导体沟道材料层；以及限定栅导体阵列的另一个图案化导体层，该栅导体阵列在所述沟道区域中提供栅电极。 | ||
| 搜索关键词： | 图案化 原位形成 图案化导体层 像素电极阵列 半导体沟道 基质材料层 滤色器材料 导体 导体阵列 电气电路 光电设备 控制部件 栅导体 支撑膜 叠堆 独立寻址 沟道区域 材料层 栅电极 制造 | ||
【主权项】：
1.一种制造用于光电设备的包括像素电极阵列的控制部件的方法，所述方法包括：/n在支撑膜之上原位形成图案化基质材料层和/或一个或多个图案化滤色器材料层；/n在所述支撑膜之上原位形成限定电气电路的层的叠堆，所述像素电极阵列中的每一个经由所述电气电路可被独立寻址；/n其中，形成所述层的叠堆包括在所述图案化基质材料层和/或一个或多个图案化滤色器材料层之上至少原位形成：/n限定源导体阵列和漏导体阵列的图案化导体层；/n限定源导体和漏导体之间的半导体沟道的半导体沟道材料层；以及/n限定栅导体阵列的另一个图案化导体层，所述栅导体阵列在所述沟道区域中提供栅电极。/n
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