[发明专利]偏心旋涂取向的发射偏振光的钙钛矿纳米线发光二极管有效
| 申请号： | 201910597001.1 | 申请日： | 2019-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN110379929B | 公开（公告）日： | 2022-05-20 |
| 发明（设计）人： | 朱俊;王健越;邱龙臻;魏雅平 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56;G02F1/13357 |
| 代理公司： | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人： | 余成俊 |
| 地址： | 230009 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 发明公开了一种偏心旋涂取向的发射偏振光的钙钛矿纳米线发光二极管，包括ITO导电玻璃阳极、空穴注入层、空穴传输层、钙钛矿纳米线发光层、电子传输层、阴极，其特征在于，钙钛矿纳米线发光层制备步骤为：将合成好的钙钛矿纳米线分散在有机溶剂中，将纳米线分散液滴在远离旋涂中心的基板上旋涂成膜。本发明针对LCD背光源存在的问题，提供了偏心旋涂取向的发射偏振光的钙钛矿纳米线发光二极管。该结构制作工艺简单，可用于LCD背光源中，提升器件发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 偏心 取向 发射 偏振光 钙钛矿 纳米 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.偏心旋涂取向的发射偏振光的钙钛矿纳米线发光二极管，包括ITO导电玻璃阳极、空穴注入层、空穴传输层、钙钛矿纳米线发光层、电子传输层、阴极，其特征在于，钙钛矿纳米线发光层制备步骤为：将合成好的钙钛矿纳米线分散在有机溶剂中，将纳米线分散液滴在远离旋涂中心的基板上旋涂成膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥工业大学，未经合肥工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910597001.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：量子点发光器件、背光光源及照明装置
- 下一篇：阵列基板及其制备方法、显示面板
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
