[发明专利]存储装置、凹陷沟道阵列晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201910598466.9 | 申请日： | 2019-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN112186035B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 刘志拯 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/36 | 分类号： | H01L29/36;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 王辉;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供了一种存储装置、凹陷沟道阵列晶体管及其制备方法，属于存储技术领域。该凹陷沟道阵列晶体管的制备方法包括：形成依次层叠的基底、第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层；在第一半导体层中注入第一离子；在第二半导体层中注入与第一离子类型相同的第二离子，且注入剂量大于第二离子；形成开口于第三半导体层且延伸至第一半导体层的凹槽通道；通过凹槽通道的底部注入与第一离子类型相反的第三离子；第一离子的注入剂量与第二离子的差值，小于第三离子的注入剂量；形成栅极绝缘层和栅极；在第三半导体层中注入与第二离子类型相反的第四离子。该凹陷沟道阵列晶体管的制备方法能够提高凹陷沟道阵列晶体管的阈值电压的均一性。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 装置 凹陷 沟道 阵列 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910598466.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
