[发明专利]一种具有高写裕度的10T TFET与MOSFET器件混合型SRAM单元电路

摘要

本发明公开了一种具有高写裕度的10T TFET与MOSFET器件混合型SRAM单元电路，其整体结构采用了读写分离的方式，单元电路的主体采用TFET器件，传输管部分采用了TFET器件与MOSFET器件组合方式，既克服了堆叠TFET传输能力弱的缺点，又避免了TFET器件作SRAM单元传输管时出现的P‑I‑N正偏电流问题。提高了单元的写能力，降低了单元的静态功耗。

主权项

1.一种具有高写裕度的10T TFET与MOSFET器件混合型SRAM单元电路，其特征在于，包括：六个NTFET晶体管、两个PTFET晶体管以及两个NMOSFET晶体管；六个NTFET晶体管依次记为N1～N6；两个PTFET晶体管分别记为P1与P2；两个NMOSFET晶体管分别记为N7与N8；其中：VDD和PTFET晶体管P1的源极以及PTFET晶体管P2的源极电连接；PTFET晶体管P1的漏极，与NTFET晶体管N1的漏极、NTFET晶体管N3的漏极、PTFET晶体管P2的栅极以及NTFET晶体管N2的栅极电连接；PTFET晶体管P2的漏极，与PTFET晶体管P1的栅极、NTFET晶体管N1的栅极、NTFET晶体管N6的栅极、NTFET晶体管N2的漏极以及NTFET晶体管N4的漏极电连接；NTFET晶体管N3的源极与NMOSFET晶体管N7的漏极电连接；NTFET晶体管N4的源极与NMOSFET晶体管N8的漏极电连接；NTFET晶体管N5的源极与NTFET晶体管N6的漏极电连接；NTFET晶体管N1的源极、NTFET晶体管N2的源极、NTFET晶体管N6的源极、NMOSFET晶体管N7的源极、以及NMOSFET晶体管N8的源极均与GND电连接。字线WL与NTFET晶体管N3的栅极、以及NTFET晶体管N4的栅极电连接；位线BL与NMOSFET晶体管N7的栅极电连接；位线BLB与NMOSFET晶体管N8的栅极电连接；读字线RWL与NTFET晶体管N5的栅极电连接；读位线RBL与NTFET晶体管N5的漏极电连接。