[发明专利]半导体存储装置在审
申请号: | 201910603451.7 | 申请日: | 2019-07-05 |
公开(公告)号: | CN111354400A | 公开(公告)日: | 2020-06-30 |
发明(设计)人: | 奥山敦司;鎌田义彦;驹井宏充;児玉择洋;石崎佑树;出口阳子;加贺浩之 | 申请(专利权)人: | 东芝存储器株式会社 |
主分类号: | G11C16/04 | 分类号: | G11C16/04;G11C16/24 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 杨林勳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 实施方式提供一种能够使读出动作高速化的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备:位线(BL),连接于存储单元;节点(SEN),电连接于位线(BL);驱动器(T10)及(T4),将节点(SEN)充电至第一电压;数据锁存电路(SDL),基于节点(SEN)的电压,存储数据;数据总线(DBUS),电连接于数据锁存电路(SDL);晶体管(T7),连接于节点(SEN)与数据总线(DBUS)之间;及数据锁存电路(XDL),电连接于数据总线(DBUS)。数据锁存电路(SDL)连接于驱动器(T10)及(T4)的输入端。基于数据锁存电路(SDL)中存储的数据,驱动器(T10)及(T4)对数据总线(DBUS)的电压进行释放或充入。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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