[发明专利]一种光电晶体及光电晶体阵列

摘要

本发明提供一种光电晶体，主要包括集电极区、基极区及发射极区，其中基极区设置在集电极区内，而发射极区则设置在基极区内，并以基极区隔开发射极区及集电极区。基极区包括第一基极区及第二基极区，其中第一基极区位于发射极区的垂直投影位置，而第二基极区则设置在发射极区的周围。此外第一基极区的掺杂浓度大于第二基极区，使得光电晶体具有较高的崩溃电压、较高的频率响应、较大的增益及较高的光灵敏度。

主权项

1.一种光电晶体，其特征在于，包括：集电极区，连接有集电极；基极区，连接有基极，所述基极区设置在集电极区内，其中所述基极区包括第一基极区和第二基极区；发射极区，连接有发射极，所述发射极区设置在基极区内，其中所述第一基极区设置在发射极区的垂直投影位置，所述第二基极区设置在发射极区的周围，其中所述第一基极区的掺杂浓度大于第二基极区的掺杂浓度。