[发明专利]耦合出光层材料及其制备方法和电致发光器件在审
| 申请号： | 201910608300.0 | 申请日： | 2019-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN110396111A | 公开（公告）日： | 2019-11-01 |
| 发明（设计）人： | 王彦杰 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | C07F7/08 | 分类号： | C07F7/08;C09K11/06;H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明提供了一种耦合出光层材料及其制备方法和电致发光器件，所述耦合出光层(CPL)材料，包括硅烷萘[3,2,1‑de]蒽取代苯胺，所述硅烷萘[3,2,1‑de]蒽取代苯胺包括式1或式2所示的结构通式： |
||
| 搜索关键词： | 耦合出光 电致发光器件 取代苯胺 硅烷 制备 结构通式 | ||
【主权项】：
1.一种耦合出光层材料，包括硅烷萘[3,2,1‑de]蒽取代苯胺，所述硅烷萘[3,2,1‑de]蒽取代苯胺包括式1或式2所示的结构通式：![]()
其中，式1中的n＝1,或2，式2中的m＝0,1,或2；式1及式2各具有至少一Ar择自下列结构式中任一者或其衍生物：![]()
以及在式1及式2中，其他Ar各自独立地择自下列结构式中任一者或其衍生物：![]()
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司，未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910608300.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
