[发明专利]用于存储单元供应电压的依于行的正电压升压有效
| 申请号： | 201910609587.9 | 申请日： | 2019-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN110827890B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 凡卡崔汉文·宾维杰亚拉梵;E·波特拉德胡尔特希;G·M·布拉塞拉斯 | 申请（专利权）人： | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/412 | 分类号： | G11C11/412 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于存储单元供应电压的依于行的正电压升压，揭示一种具有存储器阵列和至少一个正电压升压电路的芯片，其在写入运作期间提供正电压升压脉冲至该数组的该存储单元的上拉晶体管的源极，以将资料数值储存至那些存储单元中，并且，更特定言之，在该写入运作期间与字元线去致动实质同时提供正电压升压脉冲，以确保储存该资料。可使用不同的正电压升压电路将这种脉冲施加至不同的数行，以最小化电能消耗。也揭示一种采用正电压升压电路的存储器阵列运作方法和芯片制造方法，其中，实施后制造测试以识别具有受益于正电压升压脉冲的存储器阵列的芯片，以及正电压升压电路是附接至那些识别的芯片并且运作地连接至该存储器阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 存储 单元 供应 电压 升压 | ||
【主权项】：
暂无信息
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