[发明专利]一种外延层电阻率的测试方法、系统及终端设备有效
| 申请号： | 201910611206.0 | 申请日： | 2019-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN110456152B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 张佳磊;薛宏伟;任丽翠 | 申请（专利权）人： | 河北普兴电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R27/02 | 分类号： | G01R27/02 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 高欣 |
| 地址： | 050200 河北省石*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种外延层电阻率的测试方法、系统及终端设备，方法包括：获取待测外延片的外延层的掺杂浓度；根据所述掺杂浓度，计算所述外延层的标准电阻率；获取外延层中外层的偏压深度和所述外延层中内层的偏压深度；根据外层的偏压深度和标准电阻率，计算测量外层电阻率时所加的外层电压；根据内层的偏压深度和标准电阻率，计算测量内层电阻率时所加的内层电压；利用外层电压测试外层的实际电阻率，利用内层电压测试内层的实际电阻率。本发明能分别准确测量外延层中内层的电阻率和外层的电阻率，保证了芯片的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 外延 电阻率 测试 方法 系统 终端设备 | ||
【主权项】：
1.一种外延层电阻率的测试方法，其特征在于，包括：/n获取待测外延片的外延层的掺杂浓度；/n根据所述掺杂浓度，计算所述外延层的标准电阻率；/n获取外延层中外层的偏压深度和所述外延层中内层的偏压深度，其中，所述偏压深度为所述外延片加电压后所测试的深度；/n根据所述外层的偏压深度和所述标准电阻率，计算测量外层电阻率时所加的外层电压；/n根据所述内层的偏压深度和所述标准电阻率，计算测量内层电阻率时所加的内层电压；/n利用所述外层电压测试所述外层的实际电阻率，利用所述内层电压测试所述内层的实际电阻率。/n
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