[发明专利]高频放大电路及半导体装置在审

专利信息
申请号: 201910614889.5 申请日: 2019-07-09
公开(公告)号: CN111541426A 公开(公告)日: 2020-08-14
发明(设计)人: 濑下敏树;栗山保彦 申请(专利权)人: 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
主分类号: H03F3/189 分类号: H03F3/189;H03F1/26
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 刘英华
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 实施方式提供使输出端口间的隔离性能提高的高频放大电路。根据一个实施方式,高频放大电路具备第1放大电路、第2放大电路及噪声指数改善电路,具备:单一输出模式,从第1放大电路及第2放大电路中的一方输出放大后的信号;及分路输出模式,从第1放大电路及第2放大电路这双方输出放大后的信号。第1放大电路,将源极经由第1源极电感器而接地且在栅极被施加输入信号的第1晶体管、与从漏极输出将从上述第1晶体管的漏极输出的信号放大后的信号且栅极接地的第3晶体管级联连接而成。第2放大电路具备具有与第1放大电路同样的电路常数的电路元件。噪声指数改善电路将第1晶体管的源极及第2放大电路的第2晶体管的源极经由电容器而连接。
搜索关键词: 高频 放大 电路 半导体 装置
【主权项】:
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