[发明专利]高频放大电路及半导体装置在审
申请号: | 201910614889.5 | 申请日: | 2019-07-09 |
公开(公告)号: | CN111541426A | 公开(公告)日: | 2020-08-14 |
发明(设计)人: | 濑下敏树;栗山保彦 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
主分类号: | H03F3/189 | 分类号: | H03F3/189;H03F1/26 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 刘英华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 实施方式提供使输出端口间的隔离性能提高的高频放大电路。根据一个实施方式,高频放大电路具备第1放大电路、第2放大电路及噪声指数改善电路,具备:单一输出模式,从第1放大电路及第2放大电路中的一方输出放大后的信号;及分路输出模式,从第1放大电路及第2放大电路这双方输出放大后的信号。第1放大电路,将源极经由第1源极电感器而接地且在栅极被施加输入信号的第1晶体管、与从漏极输出将从上述第1晶体管的漏极输出的信号放大后的信号且栅极接地的第3晶体管级联连接而成。第2放大电路具备具有与第1放大电路同样的电路常数的电路元件。噪声指数改善电路将第1晶体管的源极及第2放大电路的第2晶体管的源极经由电容器而连接。 | ||
搜索关键词: | 高频 放大 电路 半导体 装置 | ||
【主权项】:
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