[发明专利]扇出型半导体封装件在审
申请号: | 201910614973.7 | 申请日: | 2019-07-09 |
公开(公告)号: | CN110783296A | 公开(公告)日: | 2020-02-11 |
发明(设计)人: | 金凤守 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L23/498;H01L23/31 |
代理公司: | 11286 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人: | 孙丽妍;刘奕晴 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供一种扇出型半导体封装件,所述扇出型半导体封装件包括:框架,包括第一绝缘层至第三绝缘层、第一布线层和第二布线层并具有贯穿第一绝缘层至第三绝缘层的通孔,第一布线层设置在第一绝缘层的第一表面上并嵌入第二绝缘层中,第二布线层设置在第三绝缘层上;半导体芯片,设置在通孔中并具有设置有连接焊盘的有效表面和与有效表面相对的无效表面;包封剂,覆盖框架和半导体芯片中的每个的至少部分并填充通孔的至少部分;以及连接结构,设置在框架和半导体芯片的有效表面上,并包括电连接到连接焊盘的重新分布层。第一布线层和第二布线层电连接到连接焊盘。 | ||
搜索关键词: | 绝缘层 布线层 半导体芯片 连接焊盘 有效表面 通孔 半导体封装件 电连接 扇出型 重新分布层 第一表面 连接结构 无效表面 包封剂 填充 嵌入 覆盖 贯穿 | ||
【主权项】:
1.一种扇出型半导体封装件,包括:/n框架,包括:第一绝缘层;第二绝缘层,设置在所述第一绝缘层的第一表面上;第三绝缘层,设置在所述第一绝缘层的与所述第一表面相对的第二表面上;第一布线层,设置在所述第一绝缘层的所述第一表面上并嵌入所述第二绝缘层中;以及第二布线层,设置在所述第三绝缘层上,并且所述框架具有贯穿所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层的通孔;/n半导体芯片,设置在所述通孔中并具有设置有连接焊盘的有效表面和与所述有效表面相对的无效表面;/n包封剂,覆盖所述框架和所述半导体芯片中的每个的至少部分并填充所述通孔的至少部分;以及/n连接结构,设置在所述框架和所述半导体芯片的所述有效表面上,并包括电;连接到所述连接焊盘的重新分布层,/n其中,所述第一布线层和所述第二布线层电连接到所述连接焊盘。/n
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