[发明专利]静电保护电路及芯片在审
| 申请号： | 201910615957.X | 申请日： | 2019-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN112217185A | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 许杞安 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 孙宝海;袁礼君 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开提供一种静电保护电路，包括：第一静电旁路，包括第一P型晶体管，漏极耦接于第一节点，源极耦接于第一电压，栅极通过第一电阻模块连接于第二电压，第一节点电连接于信号输入引脚；第二静电旁路，包括第一N型晶体管，漏极耦接于第一节点，源极耦接于第二电压，栅极通过第二电阻模块连接于第一电压；输入缓冲电路，至少包括栅极耦接于第二节点的第二N型晶体管和第二P型晶体管；第三N型晶体管，耦接于第一节点、第二节点，控制端耦接于第三节点；控制模块，耦接于第一电压、第二电压、第三节点，用于控制第三N型晶体管在ESD电流产生时关断。本公开实施例可以克服MOS管栅氧化层厚度降低导致的GGNMOS电路保护功能失效问题。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 保护 电路 芯片 | ||
【主权项】：
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