[发明专利]一种外延TFET沟道的半浮栅晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201910618158.8 | 申请日： | 2019-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN110416287B | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 张卫;王晨;田梓良;何振宇;顾正豪;李涵;甘露荣;陈琳;孙清清 | 申请（专利权）人： | 复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/16;H01L29/36;H01L21/336;H01L27/108 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;陆尤 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，具体为一种外延TFET沟道的半浮栅晶体管及其制备方法。本发明的半浮栅晶体管包括：衬底，具有第一掺杂类型，并有第二掺杂类型的重掺杂区；第一栅氧化层，部分覆盖重掺杂区；轻掺杂硅层，在重掺杂区表面上并延伸覆盖部分第一栅氧化层；第一多晶硅层，具有第一掺杂类型，在第一栅氧化层上，并覆盖部分所述轻掺杂硅层；第二栅氧化层，在第一多晶硅层和轻掺杂硅层上；第二多晶硅层，具有第二掺杂类型，在第二栅氧化层上；栅极侧墙；源区和漏区，在衬底中、栅极侧墙两侧。本发明提高了沟道和漏端电场随位置变化的斜率，使得TFET的隧穿从点隧穿变为面隧穿，从而大大提高半浮栅晶体管的隧穿几率，提高器件的速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 外延 tfet 沟道 半浮栅 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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