[发明专利]一种三维存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201910619171.5 | 申请日： | 2019-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN110335868B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 王启光 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L27/11548;H01L27/11556;H01L27/11575;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 李梅香;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种三维存储器，包括：衬底，以及位于所述衬底上的堆叠结构；所述堆叠结构包括若干栅极层，所述若干栅极层沿垂直所述衬底的方向间隔堆叠设置；所述堆叠结构中具有台阶区，所述台阶区中下层台阶沿平行衬底方向凸出于上层台阶；所述台阶区内的至少一个台阶包括两层栅极层，所述两层栅极层中的一栅极层与第一子导电插塞连接，另一栅极层与第二子导电插塞连接。此外，本发明实施例还公开了一种三维存储器的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种三维存储器，其特征在于，包括：衬底，以及位于所述衬底上的堆叠结构；所述堆叠结构包括若干栅极层，所述若干栅极层沿垂直所述衬底的方向间隔堆叠设置；所述堆叠结构中具有台阶区，所述台阶区中下层台阶沿平行所述衬底方向凸出于上层台阶；所述台阶区内的至少一个台阶包括两层栅极层，所述两层栅极层中的一栅极层与第一子导电插塞连接，另一栅极层与第二子导电插塞连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
