[发明专利]带取向膜的阵列基板的制造方法和液晶面板的制造方法在审
申请号: | 201910620961.5 | 申请日: | 2019-07-10 |
公开(公告)号: | CN110716353A | 公开(公告)日: | 2020-01-21 |
发明(设计)人: | 谷池康司郎 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | G02F1/1337 | 分类号: | G02F1/1337;G02F1/1333 |
代理公司: | 11323 北京市隆安律师事务所 | 代理人: | 权鲜枝;刘宁军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供能得到优异的取向限制力的带取向膜的阵列基板的制造方法。带取向膜的阵列基板(21B)的制造方法包含:TFT形成工序,在基板(11B)上形成TFT(14);像素电极形成工序,在基板(11B)上形成像素电极(15);取向膜(20)形成工序,以覆盖TFT(14)和像素电极(15)的方式形成取向膜(20);及摩擦工序,通过第1摩擦辊(32)和第2摩擦辊(33)摩擦取向膜(20),设置在第1摩擦辊(32)的外周的第1摩擦材料(32B)由与设置在第2摩擦辊(33)的外周的第2摩擦材料(33B)相比弹力、韧性比较强的材质形成,第1摩擦辊(32)和第2摩擦辊(33)均设定为向将基板(11B)推出的方向旋转。 | ||
搜索关键词: | 摩擦辊 取向膜 像素电极 形成工序 基板 摩擦材料 阵列基板 外周 取向限制力 方向旋转 摩擦工序 摩擦取向 制造 覆盖 | ||
【主权项】:
1.一种带取向膜的阵列基板的制造方法,其特征在于,至少包含:/n薄膜晶体管形成工序,在基板上形成薄膜晶体管;/n像素电极形成工序,在上述基板上形成像素电极;/n取向膜形成工序,以覆盖形成在上述基板上的上述薄膜晶体管和上述像素电极的方式形成取向膜;以及/n摩擦工序,通过具有与上述基板平行的旋转轴的圆柱状的第1摩擦辊和第2摩擦辊按顺序摩擦上述取向膜,/n设置在上述第1摩擦辊的外周的第1摩擦材料由与设置在上述第2摩擦辊的外周的第2摩擦材料相比弹力、韧性比较强的材质形成,/n上述第1摩擦辊和上述第2摩擦辊均设定为向将上述基板朝向该基板相对前进的方向推出的方向旋转。/n
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