[发明专利]一种太阳电池、生产方法及光伏组件有效
| 申请号： | 201910620993.5 | 申请日： | 2019-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN110289333B | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 袁陨来;王建波;朱琛;吕俊 | 申请（专利权）人： | 江苏隆基乐叶光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0745 | 分类号： | H01L31/0745;H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 莎日娜 |
| 地址： | 225312 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种太阳电池和生产方法及光伏组件，涉及太阳能光伏技术领域。所述太阳电池，包括：晶体硅基底；隧穿层；形成于所述晶体硅基底的背面；掺杂多晶硅层，形成于所述隧穿层的背面；所述掺杂多晶硅层与所述晶体硅基底形成背面异质结；钝化层，形成于所述掺杂多晶硅层的背面；所述钝化层上开设有激光开膜区；所述钝化层至少包括含铝钝化层，所述含铝钝化层为氮氧化铝层；背面电极，所述背面电极通过所述激光开膜区与所述掺杂多晶硅层接触；以及正面电极，所述正面电极形成于所述晶体硅基底的正面。本申请中在消融氮氧化铝钝化层形成激光开膜区的同时对掺杂多晶硅层的破坏程度大大降低，提升了背面钝化效果，升高了开路电压与填充因子。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳电池 生产 方法 组件 | ||
【主权项】：
1.一种太阳电池，其特征在于，包括：晶体硅基底；隧穿层；形成于所述晶体硅基底的背面；掺杂多晶硅层，形成于所述隧穿层的背面；所述掺杂多晶硅层与所述晶体硅基底形成背面异质结；钝化层，形成于所述掺杂多晶硅层的背面；所述钝化层上开设有激光开膜区；所述钝化层至少包括含铝钝化层，所述含铝钝化层为氮氧化铝层；背面电极，所述背面电极通过所述激光开膜区与所述掺杂多晶硅层接触；以及正面电极，所述正面电极形成于所述晶体硅基底的正面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
