[发明专利]像素电路中晶体管的阈值电压漂移的检测方法及检测装置有效
申请号: | 201910621042.X | 申请日: | 2019-07-10 |
公开(公告)号: | CN110264931B | 公开(公告)日: | 2023-07-18 |
发明(设计)人: | 汪军;王东方;闫梁臣;李广耀;王海涛;王庆贺;胡迎宾;张扬;苏同上 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | G09G3/00 | 分类号: | G09G3/00;G01R31/26;G01R31/27 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明实施例提供一种像素电路中晶体管的阈值电压漂移的检测方法及检测装置,涉及显示技术领域;能够对像素电路中的晶体管的阈值电压漂移进行检测;待检测晶体管为所述驱动晶体管和所述侦测晶体管中的至少一个;该检测方法包括:输入阶段,检测阶段;其中,输入阶段包括:向第二扫描端输入第一开启电压,侦测晶体管导通,通过侦测信号端向所述第二节点写入第一电压;检测阶段包括:向第二扫描端输入第一关闭电压,侦测晶体管截止,检测第二节点的实际电压;并根据实际电压和第一电压,判断待检测晶体管的阈值电压的漂移状态。 | ||
搜索关键词: | 像素 电路 晶体管 阈值 电压 漂移 检测 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种像素电路中晶体管的阈值电压的漂移检测方法,其特征在于,所述像素电路中包括开关晶体管、驱动晶体管、侦测晶体管、存储电容;其中,所述开关晶体管的栅极与第一扫描端连接,第一极与数据电压端连接,第二极与第一节点连接;所述驱动晶体管的栅极与所述第一节点连接,第一极与第一控制电压端连接,第二极与第二节点连接;所述侦测晶体管的栅极与第二扫描端连接,第一极与所述第二节点连接,第二极与侦测信号端连接;所述存储电容与所述第一节点和所述第二节点连接;待检测晶体管的阈值电压的漂移检测方法包括:输入阶段,检测阶段;其中,所述待检测晶体管为所述驱动晶体管和所述侦测晶体管中的至少一个;所述输入阶段包括:向所述第二扫描端输入第一开启电压,所述侦测晶体管导通,通过侦测信号端向所述第二节点写入第一电压;所述检测阶段包括:向所述第二扫描端输入第一关闭电压,所述侦测晶体管截止,检测所述第二节点的实际电压;并根据所述实际电压和所述第一电压,判断所述待检测晶体管的阈值电压的漂移状态。
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