[发明专利]一种用于化学气相沉积硅基薄膜钝化层的托盘结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201910626493.2 | 申请日： | 2019-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN110223950A | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 张丽平;刘正新;石建华;孟凡英;谢毅 | 申请（专利权）人： | 中威新能源（成都）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687;H01L31/18;C23C16/54 |
| 代理公司： | 成都时誉知识产权代理事务所(普通合伙) 51250 | 代理人： | 沈成金 |
| 地址： | 610000 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于化学气相沉积硅基薄膜钝化层的托盘结构，包括托盘四周的托盘顶部和托盘口袋底部，所述托盘口袋底部四周倒角设置有斜边，所述斜边上设置有若干个定位点，所述斜边内侧相邻设置有四周支撑结构，所述四周支撑结构内侧与所述托盘口袋底部边缘相邻，所述托盘口袋底部开设有若干个导气孔。本发明既可限制硅片尽量位于托盘的中央部分，也防止托盘边缘遮挡导致在硅片边缘沉积薄膜不均匀，还可以有效防止硅片尤其是超薄硅片因受热或遇气流而越出托盘口袋底部；可防止硅片与托盘底面大面积接触造成硅片底面污染；可有效消除取放硅片时硅片与托盘之间产生的压力差，还可以保证硅片充分受热均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 托盘 硅片 化学气相沉积 硅基薄膜 托盘结构 支撑结构 钝化层 斜边 大面积接触 超薄硅片 沉积薄膜 倒角设置 底部边缘 硅片边缘 硅片底面 受热均匀 托盘边缘 托盘底面 相邻设置 不均匀 导气孔 定位点 压力差 受热 取放 遮挡 污染 制作 保证 | ||
【主权项】：
1.一种用于化学气相沉积硅基薄膜钝化层的托盘结构，其特征在于，包括托盘四周的托盘顶部(11)和托盘口袋底部(17)，所述托盘口袋底部(17)四周倒角设置有斜边(12)，所述斜边(12)外侧与所述托盘顶部(11)内侧相邻，所述斜边(12)上设置有若干个定位点(14)，所述斜边(12)内侧相邻设置有四周支撑结构(13)，所述四周支撑结构(13)内侧与所述托盘口袋底部(17)边缘相邻，所述托盘口袋底部(17)开设有若干个导气孔(15)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
