[发明专利]半导体的图案化离散纳米级掺杂、所述半导体的制造方法和包含所述半导体的制品在审
| 申请号： | 201910627069.X | 申请日： | 2019-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN110718469A | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 张远逸;勝又麗香;李明琦;B·C·蒲柏雷;A·T·海特斯彻;P·特雷福纳斯三世;R·A·西格尔马恩 | 申请（专利权）人： | 罗门哈斯电子材料有限责任公司;加利福尼亚大学董事会 |
| 主分类号： | H01L21/388 | 分类号： | H01L21/388;C08F293/00 |
| 代理公司： | 31100 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈哲锋;胡嘉倩 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文公开了一种用于掺杂衬底的方法，所述方法包括在衬底上设置包含含掺杂物的共聚物和溶剂的组合物；并且将衬底在750℃至1300℃的温度下退火0.1秒至24小时，以使掺杂物扩散到衬底中；其中含掺杂物的共聚物包含不含掺杂物的聚合物和含掺杂物的聚合物；并且其中含掺杂物的聚合物是具有共价键合或离子键合的掺杂物原子的聚合物，并且以比不含掺杂物的聚合物更小的体积分数存在。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂物 聚合物 衬底 退火 掺杂物扩散 掺杂物原子 共聚物包含 共价键合 离子键合 体积分数 共聚物 溶剂 掺杂 | ||
【主权项】：
1.一种用于掺杂衬底的方法，所述方法包括：/n将包含含掺杂物的共聚物和溶剂的组合物设置在衬底上；其中所述含掺杂物的共聚物包含第一掺杂物；并且/n将所述衬底在750℃至1300℃的温度下退火0.1秒至24小时，以使掺杂物扩散到所述衬底中；/n其中所述含掺杂物的共聚物包含不含掺杂物的聚合物和含掺杂物的聚合物；并且其中所述含掺杂物的聚合物是具有共价键合或离子键合的掺杂物原子的聚合物，并且以比所述不含掺杂物的聚合物更小的体积分数存在。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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