[发明专利]晶片干燥系统及方法有效
| 申请号： | 201910628596.2 | 申请日： | 2019-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN110718483B | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 徐伟钧;王恕言;吴圣威 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 于磊;李慧慧 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种晶片干燥方法，此方法检测在干燥气体中的气体性分子污染物，作为单一晶片或多个晶片干燥处理的反馈参数。举例来说，此方法包括在晶片干燥工作站中，分配干燥气体至一个或多个晶片上；从晶片干燥工作站的排气口收集干燥气体；判断在干燥气体中污染物的浓度；若污染物的浓度高于基准值，重新分配干燥气体至一个或多个晶片上；以及若浓度等于或小于基准值，将一个或多个晶片传送出晶片干燥工作站。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 干燥 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶片干燥系统，包括：/n一晶片干燥工作站，配置以分配一干燥气体至一个或多个晶片上，以干燥该一个或多个晶片；/n一分析器，配置以检测该干燥气体中的污染并判断该干燥气体中的该污染的一浓度；以及/n一电路，配置以：/n将该污染的该浓度与一基准值比较；/n因应该浓度等于或小于该基准值，命令该晶片干燥工作站移出该一个或多个晶片；以及/n因应该浓度大于该基准值，命令该晶片干燥工作站干燥该一个或多个晶片。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
