[发明专利]一种延时链多行读取阵列和补偿电路结构

摘要

本发明公开了一种延时链多行读取阵列和补偿电路结构，所述电路结构包括延时链电路信号产生电路、6T单元阵列电路和电流镜补偿电路，其中：PMOSFET晶体管M0的源极接VDD，漏极与PMOSFET晶体管M1的漏极连接，栅极连接控制信号WLB3，WLB3信号是由延时链电路信号产生电路产生的控制信号8T、4T、2T、1T中的8T控制信号；PMOSFET晶体管M1的源极连接NMOSFET晶体管M2的漏极和栅极，并和NMOSFET晶体管M3的栅极连接；PMOSFET晶体管M1的栅极连接至BLB；NMOSFET晶体管M2的源极连接地；NMOSFET晶体管M3的漏极连接BLB，且该NMOSFET晶体管M3的源极连接地；利用WLB3信号和PMOSFET晶体管来控制所述电流镜补偿电路的开启，位线(BLB)通过复制的电流通路放电，从而达到补偿的目的。

主权项

1.一种延时链多行读取阵列和补偿电路结构，其特征在于，所述电路结构包括延时链电路信号产生电路、6T单元阵列电路和电流镜补偿电路，其中：/n所述延时链电路信号产生电路利用延时链电路来产生控制字线WL的信号，该延时链电路信号产生电路的主要器件为反相器，前一个反相器的输出连接后一个反相器的输入，串联在一起，通过调节反相器数目和规格参数得到成比例的脉冲信号，将输出的脉冲信号与WL信号相接成与门的两个输入端，得到控制信号8T，4T，2T和1T，并输入到所述6T单元阵列电路；/n所述6T单元阵列电路包括单元I0，I1、I2、I3和6T，其中，所述单元I0是一个交叉耦合的反相器，它与传统的6T单元中交叉耦合反相器是一样的，整个阵列是6T单元阵列；/n所述电流镜补偿电路包括PMOSFET晶体管M0、PMOSFET晶体管M1、NMOSFET晶体管M2、NMOSFET晶体管M3，其中：/nPMOSFET晶体管M0的源极接VDD，漏极与PMOSFET晶体管M1的漏极连接，栅极连接控制信号WLB3，其中该控制信号WLB3是由所述延时链电路信号产生电路产生的控制信号8T、4T、2T、1T中的8T控制信号；/nPMOSFET晶体管M1的源极连接NMOSFET晶体管M2的漏极和栅极，并和NMOSFET晶体管M3的栅极连接，PMOSFET晶体管M1的栅极连接至位线BLB，当电压达到PMOS管开启所需的电压时，该电流镜补偿电路开始工作；/nNMOSFET晶体管M2的源极连接地；/nNMOSFET晶体管M3的漏极连接位线BLB，且该NMOSFET晶体管M3的源极连接地；/n利用WLB3信号和PMOSFET晶体管来控制所述电流镜补偿电路的开启，位线BLB通过复制的电流通路放电，从而达到补偿的目的。/n