[发明专利]包括分布式写入驱动布置的半导体器件及其操作方法有效
| 申请号： | 201910635960.8 | 申请日： | 2019-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN110729004B | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 藤原英弘;廖宏仁;王俐文;张琮永;陈炎辉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/12 | 分类号： | G11C7/12;G11C7/18;G11C11/419 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 根据本申请的实施例，一种半导体存储器器件包括：本地写入位(LWB)线；本地写入位_bar(LWB_bar)线；全局写入位(GWB)线；全局写入位_bar(GWBL_bar)线；区段列，每区段包括位单元；位单元的每个包括锁存电路和将对应的LWB和LWB_bar线连接到锁存电路的第一通路栅极和第二通路栅极；以及分布式写入驱动布置。分布式写入驱动布置包括：全局写入驱动器，包括在GWB线和LWB线之间连接的第一反相器、以及在GWB_bar线和LWB_bar线之间连接的第二反相器；以及包括在每个区段的内部处的本地写入驱动器，每个本地写入驱动器包括在GWB线和LWB线之间连接的第三反相器；以及在GWB_bar线和LWB_bar线之间连接的第四反相器。本申请的实施例提供了半导体存储器器件和在分布式基础上在SRAM宏中写入‑驱动列的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 分布式 写入 驱动 布置 半导体器件 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器器件，包括：/n本地写入位(LWB)线；/n本地写入位_bar(LWB_bar)线；/n全局写入位(GWB)线；/n全局写入位_bar(GWBL_bar)线；/n区段列，每个区段包括位单元；/n所述位单元的每个包括锁存电路以及将对应的所述LWB线和所述LWB_bar线连接到所述锁存电路的第一通路栅极和第二通路栅极；以及/n分布式写入驱动布置包括全局写入驱动器和本地写入驱动器：/n所述全局写入驱动器包括：/n在所述GWB线和所述LWB线之间连接的第一反相器；以及/n在所述GWB_bar线和所述LWB_bar线之间连接的第二反相器；以及/n每个区段中包含的所述本地写入驱动器，每个本地写入驱动器位于对应所述区段的内部，每个本地写入驱动器包括：/n在所述GWB线和所述LWB线之间连接的第三反相器；以及/n在所述GWB_bar线和所述LWB_bar线之间连接的第四反相器。/n
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