[发明专利]发光二极管芯片、发光二极管显示设备及其制造方法在审
| 申请号： | 201910636392.3 | 申请日： | 2019-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN110739375A | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 叶寅夫 | 申请（专利权）人： | 亿光电子工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L27/15;H01L33/00 |
| 代理公司： | 72003 隆天知识产权代理有限公司 | 代理人： | 闫华;傅磊 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提出发光二极管芯片、发光二极管显示设备及其制造方法，可改善发光二极管芯片的巨量移转及/或电性连接等问题，进而改善发光二极管芯片显示设备的制造成本。发光二极管芯片包括第一及第二半导体层、设置于第一及第二半导体层之间的活性层、第二半导体层设置于其上的磁性层及设置于第一半导体层上的电极层。显示设备可包括两基板及设置于两基板之间的上述发光二极管芯片。制造方法可包括利用磁性模块吸起上述发光二极管、移动磁性模块至第一基板上、使发光二极管设置于第一基板上、尔后设置第二基板于发光二极管上。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管芯片 半导体层 发光二极管 第一基板 显示设备 两基板 发光二极管显示设备 磁性模块 第二基板 电性连接 移动磁性 制造成本 磁性层 电极层 活性层 移转 制造 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管芯片，其特征在于，包括：/n一第一半导体层；/n一第二半导体层；/n一活性层，设置于该第一半导体层及该第二半导体层之间；/n一磁性层，该第二半导体层设置于该磁性层上；以及/n一电极层，设置于该第一半导体层上。/n
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