[发明专利]一种适于切花菊热处理茎尖脱毒组培基质及方法有效
| 申请号： | 201910637895.2 | 申请日： | 2019-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN110741930B | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 郭方其;吴超;袁峰;黑银秀;柴金甫;刘君;丁晓瑜;徐智豪;黎侠 | 申请（专利权）人： | 浙江省农业科学院 |
| 主分类号： | A01H4/00 | 分类号： | A01H4/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310021 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种适于菊花热处理茎尖脱毒组培基质及方法、属于植物培育栽培技术领域，组培基质由分阶段依次顺序使用的诱导培养基组合、脱毒茎尖诱导培养基组合、壮苗培养与增殖培养基组合、生根培养基组合组成：诱导培养基组合由依次顺序使用的外植体诱导培养基、外植体初代诱导培养基、外植体诱导培养基组成；脱毒茎尖诱导培养基组合由依次顺序使用的外植体诱导培养基、茎尖诱导培养基Ⅰ、茎尖诱导培养基Ⅱ组成、壮苗培养与增殖培养基组合：其包括依次顺序使用的壮苗培养基和增殖培养基；本发明解决因长期的无性繁殖，导致植株体内病毒的大量积累，引起菊花品种退化和生长势减弱，影响切花品质，同时种苗无法高效大规模化生产的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适于 切花 热处理 脱毒 基质 方法 | ||
【主权项】：
1.一种适于切花菊热处理茎尖脱毒组培基质，其特征在于，所述组培基质由分阶段依次顺序使用的诱导培养基组合、脱毒茎尖诱导培养基组合、壮苗培养与增殖培养基组合、生根培养基组合组成：/n所述诱导培养基组合由依次顺序使用的外植体诱导培养基、外植体初代诱导培养基、外植体诱导培养基组成；/n所述脱毒茎尖诱导培养基组合由依次顺序使用的外植体诱导培养基、茎尖诱导培养基Ⅰ、茎尖诱导培养基Ⅱ组成；/n壮苗培养与增殖培养基组合：其包括依次顺序使用的壮苗培养基和增殖培养基。/n
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