[发明专利]陶瓷混合绝缘体板在审
申请号: | 201910637929.8 | 申请日: | 2019-07-15 |
公开(公告)号: | CN110729228A | 公开(公告)日: | 2020-01-24 |
发明(设计)人: | J·西蒙斯;D·洛弗尔 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 31100 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 侯颖媖;张鑫 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开内容整体涉及一种用于处理基板的静电吸盘。所述静电吸盘包括:设施板;以及绝缘体,所述绝缘体设置在冷却基部与接地板之间。支撑主体耦接到所述冷却基部以用于在所述支撑主体上支撑基板。环被配置为环绕所述绝缘体。所述环由耐受因暴露于制造工艺中造成的降解的材料形成。所述环任选地包括延伸部,所述延伸部被配置为环绕所述设施板。 | ||
搜索关键词: | 绝缘体 静电吸盘 支撑主体 延伸部 基部 冷却 环绕 材料形成 处理基板 制造工艺 接地板 上支撑 基板 降解 耐受 配置 暴露 | ||
【主权项】:
1.一种工艺腔室,包括:/n主体,所述主体具有侧壁和底部;/n盖,所述盖耦接到所述主体以限定在所述主体中的工艺容积;以及/n静电吸盘,所述静电吸盘设置在所述工艺容积中,所述静电吸盘包括:/n接地板;/n绝缘体,所述绝缘体设置在所述接地板上;/n设施板,所述设施板设置在所述绝缘体上;/n冷却基部,所述冷却基部设置在所述设施板上;/n支撑主体,所述支撑主体设置在所述冷却基部上,所述支撑主体中具有电极;以及/n环,所述环环绕所述绝缘体设置,其中所述环由陶瓷材料形成。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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