[发明专利]半导体衬底的处理装置及处理方法

摘要

本申请公开了一种半导体衬底的处理装置及处理方法，该处理装置包括：壳体，壳体上表面具有开口；位于壳体内的吸附件，用于吸附待处理的半导体衬底；位于壳体内的第一支撑架，第一支撑架具有一容纳空间内，吸附件位于该容纳空间内；清洗件，清洗件中具有第一清洗液，第一清洗液通过壳体的开口对半导体衬底背面的预设区域进行清洗；其中，半导体衬底背面的预设区域与其它区域的颜色不同，第一清洗液为具有腐蚀性的药液。该处理装置可以针对半导体衬底背面的腐蚀区域进行局部清洗，有效去除半导体衬底背面被腐蚀的部分，且不影响半导体衬底的未被腐蚀部分，缓解半导体衬底背面的颜色不一致现象。

主权项

1.一种半导体衬底的处理装置，其特征在于，包括：壳体，所述壳体上表面具有开口；位于所述壳体内的吸附件，所述吸附件用于吸附待处理的半导体衬底，所述半导体衬底位于所述吸附件表面时，所述半导体衬底的背面朝向所述壳体的开口；位于所述壳体内的第一支撑架，所述第一支撑架具有一容纳空间内，所述吸附件位于该容纳空间内；清洗件，所述清洗件中具有第一清洗液，所述第一清洗液通过所述壳体的开口对所述半导体衬底背面的预设区域进行清洗；其中，所述半导体衬底背面的预设区域与其它区域的颜色不同，所述第一清洗液为具有腐蚀性的药液。