[发明专利]闪存HTOL测试方法有效
| 申请号： | 201910642011.2 | 申请日： | 2019-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN110364215B | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 潘建峰;谢振;文舜;王帆 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/06 | 分类号： | G11C29/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种闪存HTOL测试方法，包括：提供待测闪存，所述闪存包括闪存参考单元和闪存阵列单元；所述闪存参考单元中捕获有空穴，所述空穴在HTOL测试过程中存在丢失；对所述闪存参考单元循环进行编译和擦除，以在所述闪存参考单元中引入电子；对所述闪存进行HTOL测试，所述引入电子在所述HTOL测试过程中存在丢失，以对HTOL测试过程中所述空穴的丢失形成补偿。降低了闪存参考单元的输出电流I |
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| 搜索关键词： | 闪存 htol 测试 方法 | ||
【主权项】：
1.一种闪存HTOL测试方法，其特征在于，包括：提供待测闪存，所述闪存包括闪存参考单元和闪存阵列单元；所述闪存参考单元中捕获有空穴；对所述闪存参考单元循环进行编译和擦除，以在所述闪存参考单元中引入电子；对所述闪存进行HTOL测试，所述引入电子在所述HTOL测试过程中部分丢失，以对HTOL测试过程中所述空穴的丢失形成补偿。
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