[发明专利]垂直场效应晶体管(VFET)器件及其形成方法在审

申请号：	201910642353.4	申请日：	2019-07-16
公开（公告）号：	CN110729192A	公开（公告）日：	2020-01-24
发明（设计）人：	洪思焕;朴容喜;徐康一	申请（专利权）人：	三星电子株式会社
主分类号：	H01L21/336	分类号：	H01L21/336;H01L21/28;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/423
代理公司：	11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司	代理人：	赵南;张帆
地址：	韩国***	国省代码：	韩国;KR
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摘要：	提供了垂直场效应晶体管(VFET)器件和形成器件的方法。该方法可包括：形成包括第一沟道区域和第二沟道区域的沟道区域；在衬底中形成第一腔；在第一腔中形成第一底部源极/漏极；在衬底中形成第二腔；以及在第二腔中形成第二底部源极/漏极。第一腔可以暴露第一沟道区域的下表面，第二腔可以暴露第二沟道区域的下表面。该方法还可以包括：在形成第一底部源极/漏极和第二底部源极/漏极之后，去除第一沟道区域和第二沟道区域之间的沟道区域的一部分，以将第一沟道区域与第二沟道区域分离。
搜索关键词：	沟道区域底部源极漏极下表面衬底垂直场效应晶体管暴露去除
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【主权项】：

1.一种形成垂直场效应晶体管器件的方法，该方法包括：/n形成从衬底的上表面突出并沿第一水平方向纵向延伸的沟道区域，其中，所述沟道区域包括在所述第一水平方向上对齐的第一沟道区域和第二沟道区域，并且所述第一沟道区域和所述第二沟道区域分别与所述衬底的第一部分和第二部分重叠；/n通过去除所述衬底的第一部分在所述衬底中形成第一腔，其中所述第一腔暴露所述第一沟道区域的下表面；/n在所述衬底的第一腔中形成第一底部源极/漏极；/n通过去除所述衬底的第二部分在所述衬底中形成第二腔，其中所述第二腔暴露所述第二沟道区域的下表面；/n在所述衬底的第二腔中形成第二底部源极/漏极；/n在形成所述第一底部源极/漏极和所述第二底部源极/漏极之后，去除所述第一沟道区域和所述第二沟道区域之间的所述沟道区域的一部分，以将所述第一沟道区域与所述第二沟道区域分离；和/n在所述第一沟道区域的一侧上形成第一栅极结构，并在所述第二沟道区域的一侧上形成第二栅极结构。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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