[发明专利]热处理装置和热处理方法在审
申请号: | 201910644087.9 | 申请日: | 2019-07-17 |
公开(公告)号: | CN110739244A | 公开(公告)日: | 2020-01-31 |
发明(设计)人: | 山口达也 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/324 |
代理公司: | 11322 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳;刘芃茜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种能够控制处理容器的长度方向上的气体供给管内的气体的温度的技术。本发明的一个方式的热处理装置包括:收纳基片的竖长的处理容器;气体供给单元,其具有沿上述处理容器的内壁面上下延伸的气体供给管;加热单元,其包括设置于上述处理容器的周围的隔热材料和沿上述隔热材料的内壁面设置的发热体;和冷却单元,其包括:形成于上述隔热材料的外侧的流体流路;以及贯通上述隔热材料的吹出孔,其一端与上述流体流路连通,另一端与上述处理容器和上述隔热材料之间的空间连通,能够向上述气体供给管吹出冷却流体,上述吹出孔沿上述气体供给管的长度方向设置有多个。 | ||
搜索关键词: | 隔热材料 气体供给管 处理容器 流体流路 吹出孔 长度方向设置 气体供给单元 热处理装置 收纳 加热单元 空间连通 控制处理 冷却单元 冷却流体 发热体 内壁面 吹出 内壁 连通 贯通 延伸 | ||
【主权项】:
1.一种热处理装置,其特征在于,包括:/n收纳基片的竖长的处理容器;/n气体供给单元,其具有沿所述处理容器的内壁面上下延伸的气体供给管;/n加热单元,其包括设置于所述处理容器的周围的隔热材料和沿所述隔热材料的内壁面设置的发热体;和/n冷却单元,其包括:形成于所述隔热材料的外侧的流体流路;以及贯通所述隔热材料的吹出孔,其一端与所述流体流路连通,另一端与所述处理容器和所述隔热材料之间的空间连通,能够向所述气体供给管吹出冷却流体,/n所述吹出孔沿所述气体供给管的长度方向设置有多个。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造