[发明专利]LDMOS器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201910647837.8 | 申请日： | 2019-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN112242445A | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 陈德艳;李茂;郑大燮 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市一法律师事务所 11654 | 代理人： | 刘荣娟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种LDMOS器件。LDMOS器件包括：半导体衬底、位于半导体衬底中的阱区和漂移区、位于阱区中的源极区；位于漂移区中的漏极区、以及位于漂移区中并位于源极区与漏极区之间的掺杂层。阱区、掺杂层具有第一导电类型，漂移区、源极区、漏极区具有第二导电类型，第一导电类型与第二导电类型不同。本公开还提供了一种LDMOS器件的形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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