[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201910648589.9 | 申请日： | 2019-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN111725293A | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 黄圣富;黄崇勋 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 罗英;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及其形成方法。在半导体结构中，至少在基底中接触沟渠的侧壁上形成接触窗间隙壁，因此金属硅化物层只会位于接触沟渠底面上，而不会位于接触沟渠的侧壁上。使得栅极与金属硅化物层之间的距离可以增加，而能减少因栅极诱导而生的漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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