[发明专利]一种阵列基板及其制造方法

摘要

本发明提供一种阵列基板及其制造方法。所述阵列基板定义有至少一第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的有源层还包括第一轻掺杂漏极和第二轻掺杂漏极，所述第二薄膜晶体管的有源层还包括第三轻掺杂漏极和第四轻掺杂漏极，所述第一轻掺杂漏极的长度小于所述第三轻掺杂漏极的长度。阵列基板的制造方法包括步骤：制造玻璃基板至栅极光阻层步骤，干刻蚀步骤，掺杂形成有源层步骤，制造层间绝缘层和源漏极层步骤。通过阵列基板中的TFT能够实现依据不同宽/长比比例来制作相对应的LDD长度，且能保证同一个TFT两侧的LDD长度相同，从而提高TFT的稳定性。

主权项

1.一种阵列基板，从下至上依次层叠设置的玻璃基板、缓冲层、有源层、第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层、栅极层、层间绝缘层、源漏极层，其中所述有源层包括源极掺杂区、漏极掺杂区，所述源漏极层包括与所述源极掺杂区电连接的源电极和与所述漏极掺杂区电连接的漏电极，所述阵列基板定义有至少一第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，其特征在于，所述第一薄膜晶体管的有源层还包括第一轻掺杂漏极和第二轻掺杂漏极，所述第二薄膜晶体管的有源层还包括第三轻掺杂漏极和第四轻掺杂漏极，所述第一轻掺杂漏极的长度小于所述第三轻掺杂漏极的长度。