[发明专利]一种用于薄片化双面电池的背面氮化硅叠层膜的制备方法

摘要

本专利提供了一种适用于薄片化双面电池的背面氮化硅叠层膜的制备方法，其特征在于，在电池背面沉积SiNx薄膜步骤中沉积至少2层SiNx薄膜；所述电池背面沉积的SiNx薄膜是由不同折射率、不同厚度的SiNx薄膜周期性排列形成的叠层膜结构；所述SiNx薄膜的厚度为10‑100nm，折射率为1.5‑2.2，沉积时间为100‑600s。本发明的SiNx叠层膜是采用PECVD方法制备，通过改变SiH4和NH3的流量大小及沉积时间获得不同折射率和不同厚度的SiNx膜层，从而调控其光子带隙中心波长的位置，反射特定波长的光。本发明通过采用背面SiNx叠层膜形式，增加背面长波光的反射率，有效提升了光吸收率，对短路电流有明显的增益，提高了电池的转换效率。