[发明专利]半导体存储器的测试方法在审
| 申请号： | 201910654147.5 | 申请日： | 2019-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN110739021A | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 冈田敏治 | 申请（专利权）人： | 拉碧斯半导体株式会社 |
| 主分类号： | G11C29/02 | 分类号： | G11C29/02;G11C29/50;G11C29/56;G11C29/00 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘茜璐;闫小龙 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体存储器的测试方法。提供了能够一边抑制性能的偏差一边制造半导体存储器的半导体存储器的测试方法。具有：测定多个存储器单元的电气特性的步骤；基于测定值来检测缺陷单元的步骤；将包括规定数以上缺陷单元的存储器块判定为缺陷块的步骤；判定缺陷块的数量是否为第1阈值以上的步骤；在缺陷块的数量为第1阈值以上的情况下将半导体存储器判定为次品的步骤；在判定为第1阈值不足的情况下将缺陷块的数量与第2阈值进行比较的步骤；在判定为缺陷存储器块的数量为第2阈值不足的情况下变更测定条件来重复执行一连串步骤的步骤；以及通过与向其他块的访问不同的方法来管理向缺陷块的访问的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 缺陷块 半导体存储器 判定 缺陷单元 存储器单元 缺陷存储器 测试 测定条件 存储器块 电气特性 抑制性能 重复执行 次品 访问 变更 检测 制造 管理 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器的测试方法，其是判定具有每一个由多个存储器单元构成的多个存储器块的半导体存储器的好坏的测试方法，其特征在于，具有：/n第1步骤，测定所述多个存储器块的所述多个存储器单元的每一个的电气特性；/n第2步骤，将所述多个存储器单元之中的、所述电气特性的测定值不满足基准值的存储器单元检测为缺陷单元；/n第3步骤，将所述多个存储器块之中的、包括规定数以上所述缺陷单元的存储器块判定为缺陷块；/n第4步骤，判定所述缺陷块的数量是否为第1阈值以上；/n第5步骤，在判定为所述缺陷块的数量为第1阈值以上的情况下，将所述半导体存储器判定为次品；/n第6步骤，在判定为所述缺陷块的数量为第1阈值不足的情况下，将所述缺陷块的数量与比所述第1阈值小的第2阈值进行比较；/n第7步骤，在判定为所述缺陷存储器块的数量为所述第2阈值不足的情况下，针对所述多个存储器单元的每一个，变更所述电气特性的测定中的测定条件，重复执行由所述第1步骤、所述第2步骤、所述第3步骤和所述第6步骤构成的一连串的步骤，直到判定为所述缺陷块的数量为所述第2阈值以上并且为所述第1阈值不足；以及/n第8步骤，在所述第6步骤或所述第7步骤中判定为所述缺陷块的数量为所述第2阈值以上并且为所述第1阈值不足的情况下，通过与向所述缺陷块以外的块的访问不同的方法来管理向所述缺陷块的访问。/n
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