[发明专利]薄膜晶体管基板及其制作方法在审
| 申请号： | 201910654433.1 | 申请日： | 2019-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN110416313A | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 马倩;周星宇 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L21/34 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管基板及其制作方法，包括：基板；遮光层，形成于所述基板上；缓冲层，形成于所述遮光层上；有源层，形成于所述缓冲层上；以及栅极绝缘层，形成于所述有源层上，所述栅极绝缘层具有层叠结构，所述层叠结构包括第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层的厚度不小于所述第二绝缘层，所述第二绝缘层形成于所述第一绝缘层上。阻碍了缺陷态对电子的俘获，进而有效减少缺陷对薄膜晶体管基板可靠性的影响，提高薄膜晶体管基板的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘层 薄膜晶体管基板 栅极绝缘层 层叠结构 缓冲层 遮光层 基板 源层 绝缘层形成 有效减少 缺陷态 俘获 制作 阻碍 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管基板，其特征在于，包括：基板；遮光层，形成于所述基板上；缓冲层，形成于所述遮光层上；有源层，形成于所述缓冲层上；以及栅极绝缘层，形成于所述有源层上，所述栅极绝缘层具有层叠结构，所述层叠结构包括第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层的厚度不小于所述第二绝缘层，所述第二绝缘层形成于所述第一绝缘层上。
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