[发明专利]半导体器件在审

专利信息
申请号: 201910654902.X 申请日: 2019-07-19
公开(公告)号: CN110875276A 公开(公告)日: 2020-03-10
发明(设计)人: 桥本千惠美;矢山浩辅;松崎智一 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H01L23/522 分类号: H01L23/522;H03K3/011
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 李辉;傅远
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本公开的实施例涉及半导体器件。在模塑封装过程结束后,多晶硅电阻具有大电阻变化率。为了实现高精度微调,期望实现几乎不受通过模塑封装过程在衬底中生成的应力和温度波动影响的电阻。电阻元件形成在多个布线层中,并且具有形成在第一布线层中的第一导电层、形成在第二布线层中的第二导电层、以及连接第一导电层和第二导电层的层间导电层的重复图案,并且层间导电层由多种材料形成。
搜索关键词: 半导体器件
【主权项】:
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