[发明专利]一种提高SONOS有源区边角圆度的方法

摘要

本发明提供一种提高SONOS有源区边角圆度的方法：提供含有非选择管区域和选择管区域的SONOS半导体结构，选择管区域光刻胶打开为TUN区域；非选择管区域上具有光刻胶；去除选择管区域氧化层；去除非选择管区域上的光刻胶；在半导体结构的表面利用ISSG工艺形成一层牺牲氧化层之后再去除该牺牲氧化层；在半导体结构表面形成氧化层‑氮化层‑氧化层叠层。该方法可以保证逻辑器件不受影响的情况达到SONOS区AA边角圆度的目的，从而使ONO生长更加均匀，提高器件的可靠性。

主权项

1.一种提高SONOS有源区边角圆度的方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：步骤一、提供含有非选择管区域和选择管区域的半导体结构，所述选择管区域经光刻胶打开为TUN区域；所述非选择管区域上具有光刻胶；所述选择管区域上具有氧化层；步骤二、去除所述选择管区域上的所述氧化层；步骤三、去除所述非选择管区域上的光刻胶；步骤四、在所述半导体结构的表面形成一层牺牲氧化层；步骤五、去除步骤四中的所述牺牲氧化层；步骤六、在所述半导体结构表面形成氧化层‑氮化层‑氧化层叠层。