[发明专利]一种大像元图像传感器中嵌入高密度叠层电容的结构在审
| 申请号： | 201910659197.2 | 申请日： | 2019-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN110400793A | 公开（公告）日： | 2019-11-01 |
| 发明（设计）人： | 张磊;胡涛;田志;王奇伟;陈昊瑜 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种大像元图像传感器中嵌入高密度叠层电容的结构，包括：有源区；位于该有源区中的光电二极管；光电二极管的上方的第一层间电介质；光电二极管上方的第一层间电介质中设有转移管；光电二极管两侧的区域为沟槽隔离区域；沟槽隔离区域设有叠层电容；叠层电容通过金属通孔接出。利用高k电介质及金属堆叠的叠层电容结构，可以充分利用大像元周围较宽的沟槽隔离区域来嵌入叠层电容，从而节省芯片面积与成本，易于集成，解决了大电容与芯片面积不兼容的矛盾。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 叠层 电容 光电二极管 沟槽隔离区域 像元 电介质 嵌入 图像传感器 第一层 源区 芯片 高k电介质 电容结构 金属通孔 不兼容 大电容 转移管 堆叠 金属 矛盾 | ||
【主权项】：
1.一种大像元图像传感器中嵌入高密度叠层电容的结构，其特征在于，该结构至少包括：大像元和设于所述大像元之间的叠层电容；所述大像元包括：有源区；位于该有源区中的光电二极管；所述光电二极管的上方的第一层间电介质；所述光电二极管上方的所述第一层间电介质中设有转移管；所述光电二极管两侧的区域为沟槽隔离区域；所述沟槽隔离区域设有所述叠层电容；所述叠层电容通过金属通孔接出。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910659197.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
