[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201910661160.3 | 申请日： | 2019-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN110943047A | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 甲斐健志;丸山力宏 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/98 | 分类号： | H01L21/98;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 周春燕;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置的制造方法，能够将多个不同的部件适当地接合在导电板上。准备在正面设定有第一配置区域、以及位于高度与第一配置区域不同的位置的第二配置区域的导电板。接着，在第一配置区域涂敷第一接合材料，在第二配置区域涂敷与第一接合材料不同的第二接合材料。接着，能够经由第一接合材料将第一部件接合在第一配置区域，并经由第二接合材料将第二部件接合在第二配置区域。在该情况下，在导电板，设定在正面的第一配置区域与第二配置区域的高度不同。因此，通过例如利用孔版印刷来灵活使用掩模，从而能够在第一配置区域和第二配置区域分别涂敷适用于第一部件和第二部件的不同的第一接合材料和第二接合材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
