[发明专利]一种半导体封装结构及封装方法有效
| 申请号： | 201910662093.7 | 申请日： | 2019-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN110416125B | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 刘俊萍;任晓伟 | 申请（专利权）人： | 扬州爱迪秀自动化科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海智力专利商标事务所(普通合伙) 31105 | 代理人： | 周涛 |
| 地址： | 225000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体封装结构及封装方法，包括加热座，所述加热座的为半圆柱体结构，且加热座上设置有位置调节组件，所述加热座的一侧设置有真空吸附组件，所述加热座的顶部通过焊接固定有抽气管道，且抽气管道伸入加热座的内部，所述位置调节组件包括横向推钮、纵向推钮、横向推杆、纵向推杆、第一弹簧、第二弹簧、第一凸块和第二凸块，所述横向推钮的一端连接有横向推杆，所述横向推杆穿过加热座，所述横向推杆的一端连接有第一弹簧，且第一弹簧的另一端与加热座的侧方内壁相连接，所述纵向推钮的一端连接有纵向推杆，所述纵向推杆的一端连接有第二弹簧，本发明，具有无需在不同位置开真空孔和运行效率高的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 封装 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体封装结构，包括加热座(1)，其特征在于：所述加热座(1)的为半圆柱体结构，且加热座(1)上设置有位置调节组件(2)，所述加热座(1)的一侧设置有真空吸附组件(3)，所述加热座(1)的顶部通过焊接固定有抽气管道(4)，且抽气管道(4)伸入加热座(1)的内部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
