[发明专利]MRAM阵列的测试电路有效
| 申请号： | 201910663110.9 | 申请日： | 2019-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN112259153B | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 熊保玉;刘少鹏;何世坤 | 申请（专利权）人： | 中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 孙峰芳 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MRAM阵列的测试电路，包括：字线译码器、行选择器以及测试阵列，所述测试阵列的其中一列为测试列，所述测试阵列的全部行以每两行为一组合行，所述测试列上的位于每个组合行的第一行上的存储单元为测试单元，所述测试单元的MTJ底电极连接至所在组合行的第二行的字线，该字线作为测试信号线输出测试信号，其中，所述字线译码器，用于根据输入的地址信号，选中所述测试阵列的其中一组合行的第一行的字线，该字线在选中后被拉高；所述行选择器，用于根据所述字线译码器的选择结果，将选中的组合行的第二行的字线选择连接至测试信号端。本发明能够对MRAM阵列中的其中一列上的多个存储单元进行参数测试。 | ||
| 搜索关键词： | mram 阵列 测试 电路 | ||
【主权项】：
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