[发明专利]晶圆减薄方法在审
| 申请号： | 201910665718.5 | 申请日： | 2019-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN110394910A | 公开（公告）日： | 2019-11-01 |
| 发明（设计）人： | 余兴 | 申请（专利权）人： | 芯盟科技有限公司 |
| 主分类号： | B28D5/04 | 分类号： | B28D5/04;B28D7/04;H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;陈丽丽 |
| 地址： | 314400 浙江省嘉兴市海宁市海*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆减薄方法。所述晶圆减薄方法包括如下步骤：提供第一晶圆，所述第一晶圆包括第一键合面以及与所述第一键合面相对的第一背面，所述第一键合面与第二晶圆键合；采用一切割线沿平行于所述第一键合面的方向切割所述第一晶圆，以减薄所述第一晶圆至预设厚度。本发明操作简单，能够极大的缩短减薄时间，而且减少了资源的浪费；另外，能够提高减薄后的晶圆表面的平整度。 | ||
| 搜索关键词： | 减薄 晶圆 键合面 半导体制造技术 晶圆表面 晶圆键合 平整度 割线 键合 预设 种晶 背面 平行 切割 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆减薄方法，其特征在于，包括如下步骤：提供第一晶圆，所述第一晶圆包括第一键合面以及与所述第一键合面相对的第一背面，所述第一键合面与第二晶圆键合；采用一切割线沿平行于所述第一键合面的方向切割所述第一晶圆，以减薄所述第一晶圆至预设厚度。
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