[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置有效
申请号: | 201910665735.9 | 申请日: | 2019-07-23 |
公开(公告)号: | CN110777361B | 公开(公告)日: | 2023-08-01 |
发明(设计)人: | 中谷理子;久松亨;石川慎也;熊仓翔;本田昌伸;木原嘉英 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/513;C23C16/30;H01L21/02 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种等离子体处理方法,实现形成在衬底上的图案的精密的尺寸控制。等离子体处理装置执行的等离子体处理方法包括第一步骤和第二步骤。在第一步骤中,等离子体处理装置在处理对象所具有的开口部的侧壁上,形成厚度因相对的成对侧壁彼此的间隔而不同的第一膜。在第二步骤中,等离子体处理装置在第一步骤后实施1次以上的成膜循环,形成厚度因相对的成对侧壁彼此的间隔而不同的第二膜。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 处理 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种等离子体处理方法,其特征在于,包括:/n在处理对象所具有的开口部的侧壁上,形成厚度因相对的成对侧壁彼此的间隔而不同的第一膜的第一步骤;和/n在所述第一步骤后实施1次以上的成膜循环,形成厚度因所述相对的成对侧壁彼此的间隔而不同的第二膜的第二步骤。/n
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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