[发明专利]产生命令脉冲的方法和被配置为执行该方法的半导体器件有效
| 申请号： | 201910671771.6 | 申请日： | 2019-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN111199759B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 金昌铉;金载镒 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/22 | 分类号： | G11C7/22 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 许伟群;郭放 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种产生命令脉冲的方法和被配置为执行该方法的半导体器件。一种半导体器件包括：第一命令脉冲发生电路，其被配置为基于第一阻止信号来从内部命令地址产生第一命令脉冲；以及第二命令脉冲发生电路，其被配置为基于第二阻止信号来从所述内部命令地址产生第二命令脉冲。 | ||
| 搜索关键词： | 产生 命令 脉冲 方法 配置 执行 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910671771.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
