[发明专利]一种三维存储器与形成三维存储器的方法有效
| 申请号： | 201910676823.9 | 申请日： | 2019-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN110349965B | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 姚兰;薛磊 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 李港 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种形成三维存储器的方法，包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括衬底、位于所述衬底上的堆叠层以及穿过所述堆叠层的沟道结构；形成垂直穿过所述堆叠层而到达所述衬底的栅线隙、覆盖所述栅线隙的粘连层，所述栅线隙包括多个通过介质层隔开的栅线槽；在所述栅线槽中形成隔离所述栅线隙与所述沟道结构的阻挡层；去除暴露出来的粘连层和至少部分介质层，从而形成高速通道区；形成填充所述高速通道区的字线高速通道和电性连接各字线高速通道的通道连接结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 存储器 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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