[发明专利]一种基于倒装结构的白光Micro LED结构在审

专利信息
申请号: 201910677032.8 申请日: 2019-07-25
公开(公告)号: CN110350055A 公开(公告)日: 2019-10-18
发明(设计)人: 刘国旭;申崇渝 申请(专利权)人: 易美芯光(北京)科技有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L33/48;H01L33/56;H01L25/075
代理公司: 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 代理人: 胡剑辉
地址: 100176 北京市大兴区*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种基于倒装结构的白光Micro LED结构,包括电路基板和Micro LED芯片,所述Micro LED芯片等间距交错分布在所述电路基板上,所述Micro LED芯片通过P电极和N电极与电路基板的正负极相连接,所述P电极通过P型GaN与N型GaN连接,在所述P型GaN与N型GaN之间的界面处形成量子阱,并在所述Micro LED芯片内灌入量子点材料,在各个所述Micro LED芯片之间的间隔处填充黑胶,本发明能够将LED芯片和白光转化为一体的白光micro LED实现结构,不仅具备传统LED高效率、高亮度、高可靠性和反应时间快的优点,还具有节能、机构简单、体积小、薄型以及发光无需背光源的特点,加工更容易实现。
搜索关键词: 白光 电路基板 倒装结构 等间距交错 量子点材料 高可靠性 传统LED 背光源 高效率 间隔处 界面处 量子阱 体积小 正负极 薄型 灌入 黑胶 填充 发光 节能 转化 加工
【主权项】:
1.一种基于倒装结构的白光Micro LED结构,其特征在于,包括电路基板和Micro LED芯片,所述Micro LED芯片等间距交错分布在所述电路基板上,所述Micro LED芯片通过P电极和N电极与电路基板的正负极相连接,所述P电极通过P型GaN与N型GaN连接,在所述P型GaN与N型GaN之间的界面处形成量子阱,并在所述Micro LED芯片内灌入量子点材料,在各个所述Micro LED芯片之间的间隔处填充黑胶。
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