[发明专利]MIP电容的制造方法

摘要

本发明公开了一种MIP电容的制造方法，包括步骤：形成第一多晶硅层；形成第二绝缘层；形成第三金属层；形成第一光刻胶图形定义出MIP电容的第一电极板的形成区域；对第三金属层进行第一次刻蚀形成所述第一电极板；去除第一光刻胶图形；在第一电极板的侧面形成由第四绝缘层组成的侧墙；进行第二次刻蚀在第一电极板的底部自对准形成MIP电容的电极间介质层；形成第二光刻胶图形定义出MIP电容的第二电极板的形成区域；对第一多晶硅层进行第三次刻蚀形成所述第二电极板；之后，去除第二光刻胶图形。本发明能防止电极板间介质层的边缘的厚度变薄而使MIP电容在边缘处提前击穿的情形发生，能使MIP电容的击穿电压稳定，提高产品良率。

主权项

1.一种MIP电容的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤一、在形成有场氧化层的半导体衬底上形成第一多晶硅层；所述MIP电容的形成区域位于所述场氧化层上；/n步骤二、形成第二绝缘层；/n步骤三、在所述第二绝缘层表面形成第三金属层；/n步骤四、进行第一次光刻形成第一光刻胶图形，所述第一光刻胶图形定义出所述MIP电容的第一电极板的形成区域；/n步骤五、以所述第一光刻胶图形为掩模对所述第三金属层进行第一次刻蚀形成所述第一电极板；/n步骤六、去除所述第一光刻胶图形；/n步骤七、在所述第一电极板的侧面形成由第四绝缘层组成的侧墙；/n步骤八、以所述第一电极板和所述侧墙为掩模对所述第二绝缘层进行第二次刻蚀在所述第一电极板的底部自对准形成所述MIP电容的电极间介质层，所述侧墙用于在所述第二次刻蚀中对所述电极间介质层的边缘进行保护；/n步骤九、进行第二次光刻形成第二光刻胶图形，所述第二光刻胶图形定义出所述MIP电容的第二电极板的形成区域；/n步骤十、以所述第二光刻胶图形为掩模对所述第一多晶硅层进行第三次刻蚀形成所述第二电极板；之后，去除所述第二光刻胶图形。/n