[发明专利]液晶手写膜的切割方法及液晶手写膜有效
申请号: | 201910684775.8 | 申请日: | 2019-07-26 |
公开(公告)号: | CN110531546B | 公开(公告)日: | 2021-11-26 |
发明(设计)人: | 包瑞;许满佳 | 申请(专利权)人: | 深圳市唯酷光电有限公司 |
主分类号: | G02F1/1333 | 分类号: | G02F1/1333;B23K26/38;B23K26/402 |
代理公司: | 深圳市华勤知识产权代理事务所(普通合伙) 44426 | 代理人: | 隆毅 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙岗区吉*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开一种液晶手写膜的切割方法,该液晶手写膜的切割方法是将整块的液晶膜切割成多个相互独立分离的预设尺寸液晶手写膜;沿所述预设尺寸液晶手写膜四周偏移预定距离,将上基膜导电层切断并在上基膜表面形成一条切割线,该切割线的切割深度小于上基膜的厚度。本发明通过切断上基膜导电层,使得上基膜导电层的电压无法到达液晶手写膜边缘,解决了在对液晶膜进行切割时,上下基膜导电层发生连接短路的问题,并且由于上基膜的切割深度小于上基膜的厚度,使得液晶手写膜的液晶泄露问题得到了解决。 | ||
搜索关键词: | 液晶 手写 切割 方法 | ||
【主权项】:
1.一种液晶手写膜的切割方法,所述液晶手写膜包括上基膜、上基膜导电层、液晶浆料层、下基膜导电层和下基膜,其特征在于,所述切割方法包括:/n将整块的液晶膜切割成多个相互独立分离的预设尺寸液晶手写膜;/n沿所述预设尺寸液晶手写膜四周偏移预定距离,将上基膜导电层切断并在上基膜表面形成一条切割线,该切割线的切割深度小于上基膜的厚度。/n
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