[发明专利]一种原子层沉积系统有效
申请号: | 201910690394.0 | 申请日: | 2019-07-29 |
公开(公告)号: | CN110318040B | 公开(公告)日: | 2021-11-30 |
发明(设计)人: | 贾培军;郭鸿晨;许淘元;李瑞斌;陈静升;赵超;崔东旭 | 申请(专利权)人: | 陕西煤业化工技术研究院有限责任公司;郭鸿晨 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/44;C23C16/52 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 李红霖 |
地址: | 710077 陕西省西安市*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明涉及原子层沉积技术领域,特别是涉及一种原子层沉积系统。本发明所提供的原子层沉积系统包括流体源引入管道、反应装置和第一调控装置,反应装置包括反应装置本体、反应装置流体引入管道和反应装置流体引出管道,第一调控装置包括第一调控装置本体、第一调控装置流体引入管道和第一调控装置流体引出管道,反应装置流体引入管道和第一调控装置流体引入管道均与流体源引入管道流体连通。本发明所提供的原子层沉积系统有利于三维钝体表面生长过程中层流条件的建立、空气动力学界面层分离的抑制、以及镀膜过程的迅速完成,并能够节约原子层沉积原料2倍以上,且可实现快速镀膜。 | ||
搜索关键词: | 一种 原子 沉积 系统 | ||
【主权项】:
1.一种原子层沉积系统,其特征在于,所述原子层沉积系统包括流体源引入管道(3)、反应装置(1)和第一调控装置(2),所述反应装置(1)包括反应装置本体(11)、用于将流体源引入反应装置本体(11)的反应装置流体引入管道(12)和用于将流体引出反应装置本体(11)的反应装置流体引出管道(13),所述第一调控装置(2)包括第一调控装置本体(21)、用于将流体源引入第一调控装置本体(21)的第一调控装置流体引入管道(22)和用于将流体引出第一调控装置本体(21)的第一调控装置流体引出管道(23),所述反应装置流体引入管道(12)和第一调控装置流体引入管道(22)均与流体源引入管道(3)流体连通,还包括至少一个反应源供应装置(4),所述反应源供应装置(4)包括反应源阵列(41)、用于将含有反应源的流体引出反应源阵列(41)的反应源阵列流体引出管道(42),所述反应源流体引出管道(42)与反应装置本体(11)流体连通。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的